IXYS - IXFE73N30Q

KEY Part #: K6405554

IXFE73N30Q Cenas (USD) [4360gab krājumi]

  • 1 pcs$10.48289
  • 10 pcs$10.43074

Daļas numurs:
IXFE73N30Q
Ražotājs:
IXYS
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 300V 66A SOT-227B.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Diodes - Zener - masīvi, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tiristori - SCR - moduļi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi and Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in IXYS IXFE73N30Q electronic components. IXFE73N30Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFE73N30Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFE73N30Q Produkta atribūti

Daļas numurs : IXFE73N30Q
Ražotājs : IXYS
Apraksts : MOSFET N-CH 300V 66A SOT-227B
Sērija : HiPerFET™
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 300V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 66A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 46 mOhm @ 36.5A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 4V @ 4mA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 190nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±20V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 6400pF @ 25V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 400W (Tc)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Chassis Mount
Piegādātāja ierīces pakete : SOT-227B
Iepakojums / lieta : SOT-227-4, miniBLOC

Jūs varētu arī interesēt