BAT54W RVG Cenas (USD) [3438287gab krājumi]
- 1 pcs$0.01076
- Daļas numurs:
- BAT54W RVG
- Ražotājs:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Detalizēts apraksts:
- DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT-323.
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tiristori - TRIAC, Diodes - taisngrieži - vienreizēji, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Diodes - tilta taisngrieži, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tranzistori - īpašam nolūkam and Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation BAT54W RVG electronic components. BAT54W RVG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAT54W RVG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAT54W RVG Produkta atribūti
Daļas numurs :
BAT54W RVG
Ražotājs :
Taiwan Semiconductor Corporation
Apraksts :
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT-323
Sērija :
-
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Schottky
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
30V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
200mA (DC)
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
1V @ 100mA
Ātrums :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
5ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
2µA @ 25V
Kapacitāte @ Vr, F :
10pF @ 1V, 1MHz
Montāžas tips :
Surface Mount
Iepakojums / lieta :
SC-70, SOT-323
Piegādātāja ierīces pakete :
SOT-323
Darba temperatūra - krustojums :
-55°C ~ 150°C
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
VS-HFA08SD60SR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A TO252. Rectifiers Hexfreds - D-PAK-e3
-
VS-8EWF04STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VS-8EWS12STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VS-8EWF10STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VS-8EWS12SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODES - D-PAK-E3. Rectifiers 8A If; 800V,1200V Vr TO-252AA (DPAK)
-
VS-8EWS08STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
Karstās daļas
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G