Microsemi Corporation - APT200GN60JDQ4G

KEY Part #: K6534814

Ģimenes kategorijas:: KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - RF, Tranzistori - IGBT - moduļi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tiristori - DIAC, SIDAC, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Diodes - Zener - Single and Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi ...

Konkurences priekšrocības:: We specialize in Microsemi Corporation APT200GN60JDQ4G electronic components. APT200GN60JDQ4G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT200GN60JDQ4G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Daļas numurs : APT200GN60JDQ4G

Ražotājs : Microsemi Corporation

Apraksts : IGBT 600V 283A 682W SOT227

Sērija : -

Daļas statuss : Discontinued at Digi-Key

IGBT tips : Trench Field Stop

Konfigurācija : Single

Spriegums - kolektora emitētāja sadalījums (maks.) : 600V

Pašreizējais - kolekcionārs (Ic) (maksimāli) : 283A

Jauda - maks : 682W

Vce (ieslēgts) (Max) @ Vge, Ic : 1.85V @ 15V, 200A

Pašreizējais - kolekcionāra izslēgšana (maks.) : 50µA

Ieejas kapacitāte (Cies) @ Vce : 14.1nF @ 25V

Ievade : Standard

NTC termistors : No

Darbības temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)

Montāžas tips : Chassis Mount

Iepakojums / lieta : ISOTOP

Piegādātāja ierīces pakete : ISOTOP®

Jūs varētu arī interesēt

VS-VSKH91/12

Vishay Semiconductor Diodes Division

MODULE THYRISTOR 95A ADD-A-PAK.
VS-GB50NA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 84A 431W SOT-227.
STG3P2M10N60B

STMicroelectronics

IGBT N-CHAN 600V 19A SEMITOP2.
T720165504DN

Powerex Inc.

SCR PHASE CTRL MOD 1600V 550A.
CM100RX-24S

Powerex Inc.

IGBT MOD 7PAC 1200V 100A NX SER.
LD430850

Powerex Inc.

SCR MOD ISO DUAL 800V 500A.

Karstās daļas