STMicroelectronics - STGW60H65DFB

KEY Part #: K6422324

STGW60H65DFB Cenas (USD) [17778gab krājumi]

  • 1 pcs$2.31808
  • 10 pcs$2.08143
  • 100 pcs$1.70542
  • 500 pcs$1.45179
  • 1,000 pcs$1.22440

Daļas numurs:
STGW60H65DFB
Ražotājs:
STMicroelectronics
Detalizēts apraksts:
IGBT 650V 80A 375W TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - programmējams atvienojums, Diodes - Zener - Single, Diodes - tilta taisngrieži, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Diodes - taisngrieži - masīvi and Tiristori - TRIAC ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in STMicroelectronics STGW60H65DFB electronic components. STGW60H65DFB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STGW60H65DFB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STGW60H65DFB Produkta atribūti

Daļas numurs : STGW60H65DFB
Ražotājs : STMicroelectronics
Apraksts : IGBT 650V 80A 375W TO-247
Sērija : -
Daļas statuss : Active
IGBT tips : Trench Field Stop
Spriegums - kolektora emitētāja sadalījums (maks.) : 650V
Pašreizējais - kolekcionārs (Ic) (maksimāli) : 80A
Pašreizējais - kolekcionārs pulsēts (Icm) : 240A
Vce (ieslēgts) (Max) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 60A
Jauda - maks : 375W
Komutācijas enerģija : 1.09mJ (on), 626µJ (off)
Ievades tips : Standard
Vārtu maksa : 306nC
Td (ieslēgts / izslēgts) @ 25 ° C : 51ns/160ns
Pārbaudes apstākļi : 400V, 60A, 5 Ohm, 15V
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 60ns
Darbības temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montāžas tips : Through Hole
Iepakojums / lieta : TO-247-3
Piegādātāja ierīces pakete : TO-247