IXYS - IXFA3N120

KEY Part #: K6394869

IXFA3N120 Cenas (USD) [17085gab krājumi]

  • 1 pcs$3.23474
  • 10 pcs$2.91215
  • 100 pcs$2.39454
  • 500 pcs$2.00623
  • 1,000 pcs$1.74735

Daļas numurs:
IXFA3N120
Ražotājs:
IXYS
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tranzistori - JFET, Tiristori - TRIAC, Diodes - taisngrieži - vienreizēji, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF and Tiristori - DIAC, SIDAC ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in IXYS IXFA3N120 electronic components. IXFA3N120 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFA3N120, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFA3N120 Produkta atribūti

Daļas numurs : IXFA3N120
Ražotājs : IXYS
Apraksts : MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
Sērija : HiPerFET™
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 1200V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 3A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 5V @ 1.5mA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 39nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±20V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 1050pF @ 25V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 200W (Tc)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete : TO-263 (IXFA)
Iepakojums / lieta : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB