UGB8JT-E3/45 Cenas (USD) [120478gab krājumi]
- 1 pcs$0.30701
- 1,000 pcs$0.27950
- Daļas numurs:
- UGB8JT-E3/45
- Ražotājs:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detalizēts apraksts:
- DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers 600 Volt 8.0A 25ns 100 Amp IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tiristori - DIAC, SIDAC, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Strāvas draivera moduļi, Diodes - RF, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tranzistori - JFET and Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UGB8JT-E3/45 electronic components. UGB8JT-E3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UGB8JT-E3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
UGB8JT-E3/45 Produkta atribūti
Daļas numurs :
UGB8JT-E3/45
Ražotājs :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts :
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Sērija :
-
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
600V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
8A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
1.75V @ 8A
Ātrums :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
50ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
30µA @ 600V
Kapacitāte @ Vr, F :
-
Montāžas tips :
Surface Mount
Iepakojums / lieta :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Piegādātāja ierīces pakete :
TO-263AB
Darba temperatūra - krustojums :
-55°C ~ 150°C
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
VS-16EDH02HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AC. Rectifiers Single 16A 200V FRED Pt AEC-Q101
-
SL03-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 1.1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.1A .395V
-
FESB8JTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 600 Volt 50ns 125 Amp IFSM
-
FESB8FTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB. Rectifiers 300 Volt 8.0A 50ns Single
-
FESB8HTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 500V 8A TO263AB. Rectifiers 500 Volt 8.0A 50ns Single
-
FESB8GTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 400 Volt 50ns 125 Amp IFSM
Karstās daļas
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G