Vishay Siliconix - SI4973DY-T1-GE3

KEY Part #: K6524012

[3974gab krājumi]


    Daļas numurs:
    SI4973DY-T1-GE3
    Ražotājs:
    Vishay Siliconix
    Detalizēts apraksts:
    MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    Noliktavā
    Glabāšanas laiks:
    Viens gads
    Čips no:
    Honkonga
    RoHS:
    Apmaksas veids:
    Sūtīšanas veids:
    Ģimenes kategorijas:
    KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Tranzistori - programmējams atvienojums, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Diodes - RF, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi and Tiristori - SCR - moduļi ...
    Konkurences priekšrocības:
    We specialize in Vishay Siliconix SI4973DY-T1-GE3 electronic components. SI4973DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4973DY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI4973DY-T1-GE3 Produkta atribūti

    Daļas numurs : SI4973DY-T1-GE3
    Ražotājs : Vishay Siliconix
    Apraksts : MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC
    Sērija : TrenchFET®
    Daļas statuss : Obsolete
    FET tips : 2 P-Channel (Dual)
    FET iezīme : Logic Level Gate
    Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 30V
    Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 5.8A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 7.6A, 10V
    Vgs (th) (Maks.) @ ID : 3V @ 250µA
    Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 56nC @ 10V
    Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : -
    Jauda - maks : 1.1W
    Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Montāžas tips : Surface Mount
    Iepakojums / lieta : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Piegādātāja ierīces pakete : 8-SO

    Jūs varētu arī interesēt