Vishay Siliconix - SI3467DV-T1-GE3

KEY Part #: K6393716

SI3467DV-T1-GE3 Cenas (USD) [460923gab krājumi]

  • 1 pcs$0.08065
  • 3,000 pcs$0.08025

Daļas numurs:
SI3467DV-T1-GE3
Ražotājs:
Vishay Siliconix
Detalizēts apraksts:
MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-TSOP.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tiristori - SCR, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Diodes - taisngrieži - masīvi and Tranzistori - IGBT - vienvietīgi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Vishay Siliconix SI3467DV-T1-GE3 electronic components. SI3467DV-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI3467DV-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI3467DV-T1-GE3 Produkta atribūti

Daļas numurs : SI3467DV-T1-GE3
Ražotājs : Vishay Siliconix
Apraksts : MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-TSOP
Sērija : TrenchFET®
Daļas statuss : Active
FET tips : P-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 20V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 3.8A (Ta)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 54 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 3V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 13nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±20V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 1.14W (Ta)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete : 6-TSOP
Iepakojums / lieta : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6