GeneSiC Semiconductor - S25B

KEY Part #: K6425051

Detalizēts apraksts:: DIODE GEN PURP 100V 25A DO203AA. Rectifiers 100V 25A Std. Recovery

Ģimenes kategorijas:: KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - taisngrieži - vienreizēji, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tiristori - SCR - moduļi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Diodes - Zener - masīvi, Tiristori - TRIAC and Tiristori - DIAC, SIDAC ...

Konkurences priekšrocības:: We specialize in GeneSiC Semiconductor S25B electronic components. S25B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S25B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Daļas numurs : S25B

Ražotājs : GeneSiC Semiconductor

Apraksts : DIODE GEN PURP 100V 25A DO203AA

Sērija : -

Daļas statuss : Active

Diodes tips : Standard

Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 100V

Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 25A

Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 25A

Ātrums : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reversās atveseļošanās laiks (trr) : -

Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 10µA @ 50V

Kapacitāte @ Vr, F : -

Montāžas tips : Chassis, Stud Mount

Iepakojums / lieta : DO-203AA, DO-4, Stud

Piegādātāja ierīces pakete : -

Darba temperatūra - krustojums : -65°C ~ 175°C

Jūs varētu arī interesēt

FGD5T120SH

ON Semiconductor

IGBT 1200V 5A FS3 DPAK.
FGD3N60UNDF

ON Semiconductor

IGBT 600V 6A 60W DPAK.
BAS40E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.
LXA06B600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr
QH05BZ600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier
QH08BZ600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 8A, Rectifier

Karstās daļas