Vishay Semiconductor Diodes Division - GL34G/1

KEY Part #: K6437482

GL34G/1 Cenas (USD) [793899gab krājumi]

  • 1 pcs$0.04916
  • 8,000 pcs$0.04892

Daļas numurs:
GL34G/1
Ražotājs:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detalizēts apraksts:
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tranzistori - IGBT - moduļi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tiristori - SCR - moduļi, Diodes - RF, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi and Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GL34G/1 electronic components. GL34G/1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GL34G/1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GL34G/1 Produkta atribūti

Daļas numurs : GL34G/1
Ražotājs : Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts : DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213
Sērija : SUPERECTIFIER®
Daļas statuss : Active
Diodes tips : Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 400V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 500mA
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 500mA
Ātrums : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 1.5µs
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 5µA @ 400V
Kapacitāte @ Vr, F : 4pF @ 4V, 1MHz
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : DO-213AA (Glass)
Piegādātāja ierīces pakete : DO-213AA (GL34)
Darba temperatūra - krustojums : -65°C ~ 175°C

Jūs varētu arī interesēt
  • GL34G/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

  • NSB8JT-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers 600 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8KT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB. Rectifiers 800 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8MT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB. Rectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8JT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8JT-E3

  • MBRB10H100-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 100 Volt 10A Single 250 Amp IFSM