[25904gab krājumi]
- Daļas numurs:
- K4A4G165WE-BITD
- Ražotājs:
- Samsung Semiconductor
- Detalizēts apraksts:
- 4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production.
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: HBM Flarebolt, SLC Nand, HBM Aquabolt, DDR3, DDR4, LPDDR4X, LPDDR3 and GDDR5 ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Samsung Semiconductor K4A4G165WE-BITD electronic components. K4A4G165WE-BITD can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4A4G165WE-BITD, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
K4A4G165WE-BITD Produkta atribūti
Daļas numurs :
K4A4G165WE-BITD
Ražotājs :
Samsung Semiconductor
Apraksts :
4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
Sērija :
DDR4
blīvums :
4 Gb
Org. :
256M x 16
ātrums :
2666 Mbps
spriegums :
1.2 V
Temp. :
-40 ~ 95 °C
paka :
96FBGA
Preces statuss :
Mass Production
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
-
-
K4A4G085WE-BITD
Samsung Semiconductor
4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.
-
K4A4G085WF-BCTD
Samsung Semiconductor
4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
-
-
K4A4G165WE-BCWE
Samsung Semiconductor
4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.