Microsemi Corporation - JANTX1N5802US

KEY Part #: K6431189

JANTX1N5802US Cenas (USD) [4846gab krājumi]

  • 1 pcs$8.93789
  • 100 pcs$5.81821

Daļas numurs:
JANTX1N5802US
Ražotājs:
Microsemi Corporation
Detalizēts apraksts:
DIODE GEN PURP 50V 1A D5A. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - RF, Strāvas draivera moduļi, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Tiristori - SCR and Tiristori - DIAC, SIDAC ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N5802US electronic components. JANTX1N5802US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N5802US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTX1N5802US Produkta atribūti

Daļas numurs : JANTX1N5802US
Ražotājs : Microsemi Corporation
Apraksts : DIODE GEN PURP 50V 1A D5A
Sērija : Military, MIL-PRF-19500/477
Daļas statuss : Active
Diodes tips : Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 50V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 1A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 875mV @ 1A
Ātrums : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 25ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 1µA @ 50V
Kapacitāte @ Vr, F : 25pF @ 10V, 1MHz
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : SQ-MELF, A
Piegādātāja ierīces pakete : D-5A
Darba temperatūra - krustojums : -65°C ~ 175°C

Jūs varētu arī interesēt
  • SS1FN6HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1A,60V,SMFSkty Rect AEC-Q101 Qualified

  • VS-15ETH03SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 15A TO263AB.

  • AR4PJ-M3/86A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 600V 2A TO277A. Rectifiers 4A 600V

  • V10P12HM3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 120V 10A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 10A, 120V, SMPC, TRENCH SKY RECT.

  • AS4PDHM3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A. Rectifiers 4A,200V, SMPC STD, Avalanche SM

  • AS3PMHM3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCH 1KV 2.1A TO277A. Rectifiers 3A,1000V, SMPC,STD, Avalanche SM