Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Mājas
  2. Produkti
  3. Diskrēti pusvadītāju izstrādājumi
  4. Diodes - taisngrieži - vienreizēji
  5. 1N5622US

Microsemi Corporation - 1N5622US

KEY Part #: K6426891

1N5622US Cenas (USD) [15458gab krājumi]

  • 1 pcs$2.81331
  • 153 pcs$2.79931
Daļas numurs:
1N5622US
Ražotājs:
Microsemi Corporation
Detalizēts apraksts:
DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Strāvas draivera moduļi, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Tranzistori - IGBT - moduļi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tiristori - TRIAC, Diodes - Zener - Single and Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Microsemi Corporation 1N5622US electronic components. 1N5622US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5622US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5622US Produkta atribūti

Daļas numurs : 1N5622US
Ražotājs : Microsemi Corporation
Apraksts : DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A
Sērija : -
Daļas statuss : Active
Diodes tips : Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 1000V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 1A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 3A
Ātrums : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 2µs
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 500nA @ 1000V
Kapacitāte @ Vr, F : -
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : SQ-MELF, A
Piegādātāja ierīces pakete : D-5A
Darba temperatūra - krustojums : -65°C ~ 200°C

Jaunākās ziņas

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Jūs varētu arī interesēt
  • V20PWM45HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 20A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • VF20120SG-M3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 20A 120V ITO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 20A,120V,TRENCH SKY RECT.

  • VFT1080S-M3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 10A 80V ITO-220AB. Rectifiers 10A,80V,TRENCH SKY RECT.

  • S2G-M3/5BT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GPP 1.5A 400V DO-214AA. Rectifiers 1.5A, 400V, GPP, VGSC-STD, SM, RECT

  • SB2K-M3/52T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA. Rectifiers 2A, 800V, GPP, STD, SM, RECT

  • SS2H9-E3/52T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 90V 2A DO214AA. Schottky Diodes & Rectifiers 90 Volt 2.0 Amp 75 Amp IFSM

Karstās daļas