ES2G/1 Cenas (USD) [539182gab krājumi]
- 1 pcs$0.07239
- 2,000 pcs$0.07203
- Daļas numurs:
- ES2G/1
- Ražotājs:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detalizēts apraksts:
- DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA.
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tiristori - DIAC, SIDAC, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tranzistori - īpašam nolūkam, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Diodes - Zener - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep and Tiristori - SCR ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ES2G/1 electronic components. ES2G/1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES2G/1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ES2G/1 Produkta atribūti
Daļas numurs :
ES2G/1
Ražotājs :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts :
DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA
Sērija :
-
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
400V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
2A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
1.1V @ 2A
Ātrums :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
50ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
10µA @ 400V
Kapacitāte @ Vr, F :
15pF @ 4V, 1MHz
Montāžas tips :
Surface Mount
Iepakojums / lieta :
DO-214AA, SMB
Piegādātāja ierīces pakete :
DO-214AA (SMB)
Darba temperatūra - krustojums :
-50°C ~ 150°C
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
VS-8EWF04STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VS-8EWS10S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK. Rectifiers Input Diodes - D-PAK
-
VS-HFA04SD60SRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hexfreds - D-PAK-e3
-
VS-HFA04SD60STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 4A D-PAK. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hexfreds - D-PAK-e3
-
VS-HFA08SD60STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK. Rectifiers Hexfreds - D-PAK-e3
-
VS-8EWS16STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
Karstās daļas
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18