EGL34GHE3_A/I Cenas (USD) [732237gab krājumi]
- 1 pcs$0.05051
- Daļas numurs:
- EGL34GHE3_A/I
- Ražotājs:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detalizēts apraksts:
- DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5A,400V,50NS AEC-Q101 Qualified
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - taisngrieži - vienreizēji, Tiristori - SCR - moduļi, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji) and Tiristori - TRIAC ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGL34GHE3_A/I electronic components. EGL34GHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGL34GHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
EGL34GHE3_A/I Produkta atribūti
Daļas numurs :
EGL34GHE3_A/I
Ražotājs :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts :
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213
Sērija :
Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
400V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
500mA
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
1.35V @ 500mA
Ātrums :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
50ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
5µA @ 400V
Kapacitāte @ Vr, F :
7pF @ 4V, 1MHz
Montāžas tips :
Surface Mount
Iepakojums / lieta :
DO-213AA (Glass)
Piegādātāja ierīces pakete :
DO-213AA (GL34)
Darba temperatūra - krustojums :
-65°C ~ 175°C
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
RGL34G-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
BYM07-300-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
-
BYM07-50-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
-
EGL34C-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 150 Volt 50ns
-
EGL34F-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 300 Volt 50ns
-
EGL34A-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 0.5 Amp 50 Volt 50ns
Karstās daļas
- CR5F-120 BK
- IRD3CH11DF6
- FR306TA
- CMSH1-100 BK
- JANTX1N6624U
- JAN1N6622US
- VS-30BQ100GPBF
- DSB3A40
- HS247180R
- UF5A400D1
- RD0106T-H
- UGF15HT-E3/45
- UF1506S-B
- MBRH20045L
- 1N1203BR
- GP10AHE3/54
- MBR1040
- STPS1545R
- MBRD360
- MA2C700A0F
- STTH3L06B-TR
- BYW80-200
- MBRB1045TRL
- 1N6542
- SD233N36S50PSC
- 6TQ045S
- 1N6549
- ES1J-TP
- FS2B-TP
- R2500-TP
- FR203-TP
- 1N4935-TP
- FR503-AP
- RS 1AV
- ES3G R7G
- RB160M-50TR
- MURS360SHE3_A/H
- SE20PDHM3/85A
- GP10-4007-E3/54
- BAS4002LE6327XTMA1