Advanced Linear Devices Inc. - ALD212908ASAL

KEY Part #: K6521968

ALD212908ASAL Cenas (USD) [18722gab krājumi]

  • 1 pcs$2.20130
  • 50 pcs$1.37701

Daļas numurs:
ALD212908ASAL
Ražotājs:
Advanced Linear Devices Inc.
Detalizēts apraksts:
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - programmējams atvienojums, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tiristori - DIAC, SIDAC, Diodes - RF, Diodes - tilta taisngrieži and Tranzistori - īpašam nolūkam ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Advanced Linear Devices Inc. ALD212908ASAL electronic components. ALD212908ASAL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ALD212908ASAL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ALD212908ASAL Produkta atribūti

Daļas numurs : ALD212908ASAL
Ražotājs : Advanced Linear Devices Inc.
Apraksts : MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
Sērija : EPAD®, Zero Threshold™
Daļas statuss : Active
FET tips : 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET iezīme : Logic Level Gate
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 10.6V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 80mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 20mV @ 10µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : -
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : -
Jauda - maks : 500mW
Darbības temperatūra : 0°C ~ 70°C (TJ)
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Piegādātāja ierīces pakete : 8-SOIC

Jūs varētu arī interesēt