Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Mājas
  2. Produkti
  3. Diskrēti pusvadītāju izstrādājumi
  4. Strāvas draivera moduļi
  5. GCMS080A120B1H1

Global Power Technologies Group - GCMS080A120B1H1

KEY Part #: K6531744

GCMS080A120B1H1 Cenas (USD) [538gab krājumi]

  • 1 pcs$86.39546
  • 10 pcs$82.28163
Daļas numurs:
GCMS080A120B1H1
Ražotājs:
Global Power Technologies Group
Detalizēts apraksts:
SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tiristori - SCR - moduļi, Diodes - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi and Tranzistori - IGBT - Masīvi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Global Power Technologies Group GCMS080A120B1H1 electronic components. GCMS080A120B1H1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GCMS080A120B1H1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GCMS080A120B1H1 Produkta atribūti

Daļas numurs : GCMS080A120B1H1
Ražotājs : Global Power Technologies Group
Apraksts : SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1
Sērija : -
Daļas statuss : Active
Veids : MOSFET
Konfigurācija : Full Bridge
Pašreizējais : 40A
spriegums : 1.2kV
Spriegums - izolācija : 2500Vrms
Iepakojums / lieta : Power Module

Jaunākās ziņas

Global Specialties DSC-5300 Digital Storage Oscilloscope (DSO)
Global Specialties 1415 Dual Output DC Power Supply
Jūs varētu arī interesēt
  • DZ23C22-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 22V 300MW SOT23. Zener Diodes 22 Volt 0.3 Watt 5% AUTO

  • DZ23C8V2-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 8.2V 300MW SOT23. Zener Diodes 8.2Volt 0.3 Watt 5%

  • AZ23C27-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 27V 300MW SOT23. Zener Diodes 27 Volt 0.3W 5% CA

  • AZ23C47-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 47V 300MW SOT23. Zener Diodes 47 Volt 0.3W 5% CA

  • AZ23C16-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 16V 300MW SOT23. Zener Diodes 16 Volt 0.3W 5% CA

  • DZ23C24-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 24V 300MW SOT23. Zener Diodes 24 Volt 0.3 Watt 5%

Karstās daļas