ON Semiconductor - FDG311N

KEY Part #: K6416166

FDG311N Cenas (USD) [529955gab krājumi]

  • 1 pcs$0.07014
  • 3,000 pcs$0.06979

Daļas numurs:
FDG311N
Ražotājs:
ON Semiconductor
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - tilta taisngrieži, Diodes - taisngrieži - vienreizēji, Tranzistori - īpašam nolūkam, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tranzistori - JFET and Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in ON Semiconductor FDG311N electronic components. FDG311N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDG311N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDG311N Produkta atribūti

Daļas numurs : FDG311N
Ražotājs : ON Semiconductor
Apraksts : MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6
Sērija : PowerTrench®
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 20V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 1.9A (Ta)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 115 mOhm @ 1.9A, 4.5V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 1.5V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 4.5nC @ 4.5V
VG (maksimāli) : ±8V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 270pF @ 10V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 750mW (Ta)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete : SC-88 (SC-70-6)
Iepakojums / lieta : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363