Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Mājas
  2. Produkti
  3. Diskrēti pusvadītāju izstrādājumi
  4. Diodes - taisngrieži - vienreizēji
  5. R9G02612XX

Powerex Inc. - R9G02612XX

KEY Part #: K6441252

R9G02612XX Cenas (USD) [393gab krājumi]

  • 1 pcs$117.85264
  • 30 pcs$115.40592
Daļas numurs:
R9G02612XX
Ražotājs:
Powerex Inc.
Detalizēts apraksts:
DIODE GP 2.6KV 1200A DO200AB.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Tranzistori - JFET, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Strāvas draivera moduļi, Tiristori - DIAC, SIDAC, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tiristori - TRIAC and Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Powerex Inc. R9G02612XX electronic components. R9G02612XX can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for R9G02612XX, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

R9G02612XX Produkta atribūti

Daļas numurs : R9G02612XX
Ražotājs : Powerex Inc.
Apraksts : DIODE GP 2.6KV 1200A DO200AB
Sērija : -
Daļas statuss : Active
Diodes tips : Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 2600V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 1200A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.45V @ 1500A
Ātrums : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 25µs
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 150mA @ 2600V
Kapacitāte @ Vr, F : -
Montāžas tips : Chassis Mount
Iepakojums / lieta : DO-200AB, B-PUK
Piegādātāja ierīces pakete : DO-200AB, B-PUK
Darba temperatūra - krustojums : -
Jūs varētu arī interesēt
  • VS-HFA04SD60S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4A 600V Ultrafast 17ns HEXFRED

  • VS-EPH3006LHN3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 30A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • SFA808G C0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC. Rectifiers 35ns8A 600V Sp Fst Recov Rectifier

  • FERD30SM100ST

    STMicroelectronics

    DIODE RECT 100V 30A TO220AB. Rectifiers Field Effect Rectifier

  • SICR10650

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S.

  • SICR101200

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S.

Karstās daļas