Infineon Technologies - IPD053N08N3GBTMA1

KEY Part #: K6404196

[2095gab krājumi]


    Daļas numurs:
    IPD053N08N3GBTMA1
    Ražotājs:
    Infineon Technologies
    Detalizēts apraksts:
    MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3.
    Manufacturer's standard lead time:
    Noliktavā
    Glabāšanas laiks:
    Viens gads
    Čips no:
    Honkonga
    RoHS:
    Apmaksas veids:
    Sūtīšanas veids:
    Ģimenes kategorijas:
    KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tiristori - SCR, Diodes - tilta taisngrieži, Tiristori - DIAC, SIDAC, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi and Tranzistori - programmējams atvienojums ...
    Konkurences priekšrocības:
    We specialize in Infineon Technologies IPD053N08N3GBTMA1 electronic components. IPD053N08N3GBTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD053N08N3GBTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPD053N08N3GBTMA1 Produkta atribūti

    Daļas numurs : IPD053N08N3GBTMA1
    Ražotājs : Infineon Technologies
    Apraksts : MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
    Sērija : OptiMOS™
    Daļas statuss : Obsolete
    FET tips : N-Channel
    Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
    Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 80V
    Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 90A (Tc)
    Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 6V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.3 mOhm @ 90A, 10V
    Vgs (th) (Maks.) @ ID : 3.5V @ 90µA
    Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 69nC @ 10V
    VG (maksimāli) : ±20V
    Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 4750pF @ 40V
    FET iezīme : -
    Jaudas izkliede (maks.) : 150W (Tc)
    Darbības temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Montāžas tips : Surface Mount
    Piegādātāja ierīces pakete : PG-TO252-3
    Iepakojums / lieta : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    Jūs varētu arī interesēt
    • AUIRLR024Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N CH 55V 16A DPAK.

    • AUIRFR4292

      Infineon Technologies

      MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK.

    • IRFR7440PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N CH 40V 90A DPAK.

    • TK16A60W5,S4VX

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS.

    • IPA50R380CE

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220FP.

    • IPA50R190CE

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP.