Daļas numurs :
IPD053N08N3GBTMA1
Ražotājs :
Infineon Technologies
Apraksts :
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Tehnoloģijas :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) :
80V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C :
90A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.3 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID :
3.5V @ 90µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs :
69nC @ 10V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds :
4750pF @ 40V
Jaudas izkliede (maks.) :
150W (Tc)
Darbības temperatūra :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montāžas tips :
Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete :
PG-TO252-3
Iepakojums / lieta :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63