Vishay Semiconductor Diodes Division - RGP25B-E3/54

KEY Part #: K6440300

RGP25B-E3/54 Cenas (USD) [322487gab krājumi]

  • 1 pcs$0.12103
  • 2,800 pcs$0.12043

Daļas numurs:
RGP25B-E3/54
Ražotājs:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detalizēts apraksts:
DIODE GEN PURP 100V 2.5A DO201AD. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 2.5A 150ns 100 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - IGBT - moduļi, Strāvas draivera moduļi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no and Tranzistori - JFET ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RGP25B-E3/54 electronic components. RGP25B-E3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGP25B-E3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGP25B-E3/54 Produkta atribūti

Daļas numurs : RGP25B-E3/54
Ražotājs : Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts : DIODE GEN PURP 100V 2.5A DO201AD
Sērija : SUPERECTIFIER®
Daļas statuss : Active
Diodes tips : Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 100V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 2.5A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 2.5A
Ātrums : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 150ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 5µA @ 100V
Kapacitāte @ Vr, F : 60pF @ 4V, 1MHz
Montāžas tips : Through Hole
Iepakojums / lieta : DO-201AD, Axial
Piegādātāja ierīces pakete : DO-201AD
Darba temperatūra - krustojums : -65°C ~ 175°C

Jūs varētu arī interesēt
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • ES2AHM3/5BT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20NS,UF Rect,SMD

  • EGP20B-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt

  • 1N4585GP-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC. Rectifiers 1A,800V,STD SUPERECT,DO-15

  • MBR20100

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 100V TO220AC.