IXYS - IXFN64N50PD2

KEY Part #: K6402641

IXFN64N50PD2 Cenas (USD) [3199gab krājumi]

  • 1 pcs$14.29070
  • 10 pcs$14.21960

Daļas numurs:
IXFN64N50PD2
Ražotājs:
IXYS
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Tiristori - SCR, Tranzistori - programmējams atvienojums, Tiristori - DIAC, SIDAC, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi and Tranzistori - IGBT - moduļi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in IXYS IXFN64N50PD2 electronic components. IXFN64N50PD2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN64N50PD2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN64N50PD2 Produkta atribūti

Daļas numurs : IXFN64N50PD2
Ražotājs : IXYS
Apraksts : MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B
Sērija : PolarHV™
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 500V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 52A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 5V @ 8mA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 186nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±30V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 11000pF @ 25V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 625W (Tc)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Chassis Mount
Piegādātāja ierīces pakete : SOT-227B
Iepakojums / lieta : SOT-227-4, miniBLOC

Jūs varētu arī interesēt
  • BS170PSTOB

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

  • GP2M005A060CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK.

  • GP2M005A050CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK.

  • GP1M016A025CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 250V 16A DPAK.

  • GP1M008A050CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 500V 8A DPAK.

  • GP1M007A065CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK.