Vishay Siliconix - SIA106DJ-T1-GE3

KEY Part #: K6396157

SIA106DJ-T1-GE3 Cenas (USD) [247639gab krājumi]

  • 1 pcs$0.14936

Daļas numurs:
SIA106DJ-T1-GE3
Ražotājs:
Vishay Siliconix
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SC-70.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tiristori - TRIAC, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Diodes - Zener - Single, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tranzistori - IGBT - moduļi and Tiristori - SCR - moduļi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Vishay Siliconix SIA106DJ-T1-GE3 electronic components. SIA106DJ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA106DJ-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIA106DJ-T1-GE3 Produkta atribūti

Daļas numurs : SIA106DJ-T1-GE3
Ražotājs : Vishay Siliconix
Apraksts : MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SC-70
Sērija : TrenchFET® Gen IV
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 60V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 10A (Ta), 12A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18.5 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 13.5nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±20V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 540pF @ 30V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete : PowerPAK® SC-70-6 Single
Iepakojums / lieta : PowerPAK® SC-70-6

Jūs varētu arī interesēt
  • DMP6110SVT-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V TSOT26.

  • SSN1N45BTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 450V 500MA TO-92.

  • IRFI9Z24GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 60V 8.5A TO220FP.

  • DMG9N65CT

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB.

  • DMG4N60SCT

    Diodes Incorporated

    MOSFET NCH 600V 4.5A TO220.

  • FDN8601

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 2.7A 3SSOT.