VS-E5TX3012-N3 Cenas (USD) [44532gab krājumi]
- 1 pcs$0.87801
- Daļas numurs:
- VS-E5TX3012-N3
- Ražotājs:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detalizēts apraksts:
- DIODE FREDS 1200V 30A TO-220. Rectifiers 1200V, 30A TO-247 LL
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tiristori - DIAC, SIDAC, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Diodes - taisngrieži - masīvi, Diodes - Zener - masīvi and Tranzistori - programmējams atvienojums ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-E5TX3012-N3 electronic components. VS-E5TX3012-N3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-E5TX3012-N3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-E5TX3012-N3 Produkta atribūti
Daļas numurs :
VS-E5TX3012-N3
Ražotājs :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts :
DIODE FREDS 1200V 30A TO-220
Sērija :
FRED Pt®
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
1200V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
30A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
3.15V @ 30A
Ātrums :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
100ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
50µA @ 1200V
Kapacitāte @ Vr, F :
-
Montāžas tips :
Through Hole
Iepakojums / lieta :
TO-220-2
Piegādātāja ierīces pakete :
TO-220AC
Darba temperatūra - krustojums :
-55°C ~ 175°C
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
SCS212AJTLL
Rohm Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers SiC, SBD 650V 12A DPAK
-
SCS210AJHRTLL
Rohm Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 650V 10A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
-
VS-8EWF02S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VS-HFA15TB60-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC. Rectifiers 600V 15A TO-262 HexFred
-
V30100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30 Amp 100 Volt Single TrenchMOS
-
Karstās daļas
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A