Infineon Technologies - IRLR120NTRPBF

KEY Part #: K6402108

IRLR120NTRPBF Cenas (USD) [209932gab krājumi]

  • 1 pcs$0.17619
  • 2,000 pcs$0.13563

Daļas numurs:
IRLR120NTRPBF
Ražotājs:
Infineon Technologies
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - IGBT - moduļi, Diodes - RF, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Tranzistori - īpašam nolūkam, Diodes - taisngrieži - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi and Tranzistori - JFET ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Infineon Technologies IRLR120NTRPBF electronic components. IRLR120NTRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLR120NTRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLR120NTRPBF Produkta atribūti

Daļas numurs : IRLR120NTRPBF
Ražotājs : Infineon Technologies
Apraksts : MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Sērija : HEXFET®
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 100V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 185 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 2V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 20nC @ 5V
VG (maksimāli) : ±16V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 440pF @ 25V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 48W (Tc)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montāžas tips : Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete : D-Pak
Iepakojums / lieta : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Jūs varētu arī interesēt
  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • ZVP2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3.