Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Mājas
  2. Produkti
  3. Integrētās shēmas (IC)
  4. Atmiņas
  5. W947D2HBJX6E

Winbond Electronics - W947D2HBJX6E

KEY Part #: K942113

W947D2HBJX6E Cenas (USD) [42953gab krājumi]

  • 1 pcs$1.20813
  • 240 pcs$1.20212
Daļas numurs:
W947D2HBJX6E
Ražotājs:
Winbond Electronics
Detalizēts apraksts:
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 128M mDDR, x32, 166MHz, 65nm
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: PMIC - akumulatora pārvaldība, Loģika - Vārti un invertori - daudzfunkcionāli, ko, Atmiņas, Lineāri - salīdzinātāji, PMIC - strāvas sadales slēdži, slodzes draiveri, PMIC - pašreizējie noteikumi / vadība, Lineāri - Pastiprinātāji - Instrumentācija, OP pas and Loģika - flip flops ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Winbond Electronics W947D2HBJX6E electronic components. W947D2HBJX6E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W947D2HBJX6E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W947D2HBJX6E Produkta atribūti

Daļas numurs : W947D2HBJX6E
Ražotājs : Winbond Electronics
Apraksts : IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Sērija : -
Daļas statuss : Active
Atmiņas tips : Volatile
Atmiņas formāts : DRAM
Tehnoloģijas : SDRAM - Mobile LPDDR
Atmiņas lielums : 128Mb (4M x 32)
Pulksteņa frekvence : 166MHz
Rakstīt cikla laiku - vārds, lappuse : 15ns
Piekļuves laiks : 5ns
Atmiņas interfeiss : Parallel
Spriegums - padeve : 1.7V ~ 1.95V
Darbības temperatūra : -25°C ~ 85°C (TC)
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : 90-TFBGA
Piegādātāja ierīces pakete : 90-VFBGA (8x13)

Jaunākās ziņas

Winbond DRAM Product Portfolio
Winbond NOR Product Portfolio
Jūs varētu arī interesēt
  • IS25WP032A-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 133MHZ WSON. NOR Flash 32Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS

  • W25Q128FWEIG

    Winbond Electronics

    IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON.

  • FM25CL64B-DGTR

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FRAM 64K SPI 20MHZ 8TDFN. F-RAM 64Kb Serial SPI 3V FRAM

  • MT25QL128ABA1EW7-0SIT

    Micron Technology Inc.

    IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN. NOR Flash SERIAL NOR SLC 32MX4 WPDFN

  • M24256-BRDW6P

    STMicroelectronics

    IC EEPROM 256K I2C 1MHZ 8TSSOP. EEPROM 512Kbit and 256Kbit EEPROM

  • SST26VF064B-104I/SM

    Microchip Technology

    IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIJ. NOR Flash 64Mb 2.7-3.6V SQI Flash Memory

Karstās daļas