ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46DR16320E-3DBLA2

KEY Part #: K937542

IS46DR16320E-3DBLA2 Cenas (USD) [17223gab krājumi]

  • 1 pcs$2.66046

Daļas numurs:
IS46DR16320E-3DBLA2
Ražotājs:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Detalizēts apraksts:
IC DRAM 512M PARALLEL 333MHZ. DRAM 512M 1.8V 32Mx16 Ext Temp DDR2
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Loģika - flip flops, Loģika - Shift reģistri, PMIC - termiskā vadība, Atmiņas, Iegulti - FPGA (lauka programmējams vārtu masīvs) , Lineāri - Pastiprinātāji - Instrumentācija, OP pas, Interfeiss - Serializer, Deserializer and Loģika - FIFOs atmiņa ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320E-3DBLA2 electronic components. IS46DR16320E-3DBLA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS46DR16320E-3DBLA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS46DR16320E-3DBLA2 Produkta atribūti

Daļas numurs : IS46DR16320E-3DBLA2
Ražotājs : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Apraksts : IC DRAM 512M PARALLEL 333MHZ
Sērija : -
Daļas statuss : Active
Atmiņas tips : Volatile
Atmiņas formāts : DRAM
Tehnoloģijas : SDRAM - DDR2
Atmiņas lielums : 512Mb (32M x 16)
Pulksteņa frekvence : 333MHz
Rakstīt cikla laiku - vārds, lappuse : 15ns
Piekļuves laiks : 450ps
Atmiņas interfeiss : Parallel
Spriegums - padeve : 1.7V ~ 1.9V
Darbības temperatūra : -40°C ~ 105°C (TA)
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : 84-TFBGA
Piegādātāja ierīces pakete : 84-TWBGA (8x12.5)

Jaunākās ziņas

Jūs varētu arī interesēt
  • MB85RS1MTPH-G-JNE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 1M SPI 40MHZ 8DIP.

  • 71V25761S183PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline

  • EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA.

  • TH58BYG2S3HBAI6

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • S25FS512SDSNFV013

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M SPI 80MHZ. NOR Flash Nor

  • S29GL512T12DHVV23

    Cypress Semiconductor Corp

    IC NOR. NOR Flash Nor