GeneSiC Semiconductor - GA20JT12-263

KEY Part #: K6398278

GA20JT12-263 Cenas (USD) [2551gab krājumi]

  • 1 pcs$18.49030
  • 10 pcs$17.10226
  • 25 pcs$15.71569
  • 100 pcs$14.60627

Daļas numurs:
GA20JT12-263
Ražotājs:
GeneSiC Semiconductor
Detalizēts apraksts:
TRANS SJT 1200V 45A.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - taisngrieži - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi and Diodes - Zener - Single ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GA20JT12-263 electronic components. GA20JT12-263 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA20JT12-263, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GA20JT12-263 Produkta atribūti

Daļas numurs : GA20JT12-263
Ražotājs : GeneSiC Semiconductor
Apraksts : TRANS SJT 1200V 45A
Sērija : -
Daļas statuss : Active
FET tips : -
Tehnoloģijas : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 1200V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 45A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 20A
Vgs (th) (Maks.) @ ID : -
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : -
VG (maksimāli) : -
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 3091pF @ 800V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 282W (Tc)
Darbības temperatūra : 175°C (TJ)
Montāžas tips : Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete : D2PAK (7-Lead)
Iepakojums / lieta : TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Jūs varētu arī interesēt
  • TP0604N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3.

  • VN3205N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3.

  • TN2640N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.22A TO92-3.

  • FDD8444L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 50A DPAK.

  • IRLR3705ZPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IXTY44N10T

    IXYS

    MOSFET N-CH 100V 44A TO-252.