Taiwan Semiconductor Corporation - S8KCHM6G

KEY Part #: K6439758

S8KCHM6G Cenas (USD) [701059gab krājumi]

  • 1 pcs$0.05276

Daļas numurs:
S8KCHM6G
Ražotājs:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detalizēts apraksts:
DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tiristori - SCR - moduļi, Tiristori - SCR, Diodes - taisngrieži - masīvi, Diodes - taisngrieži - vienreizēji, Tranzistori - FET, MOSFET - RF and Tiristori - DIAC, SIDAC ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation S8KCHM6G electronic components. S8KCHM6G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S8KCHM6G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S8KCHM6G Produkta atribūti

Daļas numurs : S8KCHM6G
Ražotājs : Taiwan Semiconductor Corporation
Apraksts : DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB
Sērija : Automotive, AEC-Q101
Daļas statuss : Active
Diodes tips : Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 800V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 8A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 985mV @ 8A
Ātrums : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : -
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 10µA @ 800V
Kapacitāte @ Vr, F : 48pF @ 4V, 1MHz
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : DO-214AB, SMC
Piegādātāja ierīces pakete : DO-214AB (SMC)
Darba temperatūra - krustojums : -55°C ~ 150°C

Jūs varētu arī interesēt
  • VS-6EWL06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA. Rectifiers 6A 600V 59ns Ultrafast

  • BYG22D-M3/TR3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC. Rectifiers 2A,200V,25nS UF Fast Avalanche,SMD

  • BYG22B-M3/TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC. Rectifiers 2A,100V,25nS UF Fast Avalanche,SMD

  • BYG24D-M3/TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 200V 1.5A. Rectifiers 1.5A,200V,140nS Fast Avalanche,SMD

  • BYG10K-M3/TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 800V 1.5A. Rectifiers 1.5A,800V VGSC-STD Avalanche SMD

  • BYG23M-M3/TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A. Rectifiers 1.5A,1000V,75nS Fast Avalanche,SMD