ES1ALHMHG Cenas (USD) [1305982gab krājumi]
- 1 pcs$0.02832
- Daļas numurs:
- ES1ALHMHG
- Ražotājs:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Detalizēts apraksts:
- DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA.
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tranzistori - īpašam nolūkam, Tiristori - SCR, Diodes - tilta taisngrieži and Tiristori - SCR - moduļi ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation ES1ALHMHG electronic components. ES1ALHMHG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES1ALHMHG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ES1ALHMHG Produkta atribūti
Daļas numurs :
ES1ALHMHG
Ražotājs :
Taiwan Semiconductor Corporation
Apraksts :
DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
Sērija :
Automotive, AEC-Q101
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
50V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
1A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
950mV @ 1A
Ātrums :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
35ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
5µA @ 50V
Kapacitāte @ Vr, F :
10pF @ 4V, 1MHz
Montāžas tips :
Surface Mount
Iepakojums / lieta :
DO-219AB
Piegādātāja ierīces pakete :
Sub SMA
Darba temperatūra - krustojums :
-55°C ~ 150°C
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
-
MBRB1045-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 10 Amp 45 Volt
-
-
MBRB1660-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 16A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 16 Amp 60 Volt
-
NSB8DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 200 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
-
Karstās daļas
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G