Vishay Siliconix - SI8800EDB-T2-E1

KEY Part #: K6418556

SI8800EDB-T2-E1 Cenas (USD) [541461gab krājumi]

  • 1 pcs$0.06865
  • 3,000 pcs$0.06831

Daļas numurs:
SI8800EDB-T2-E1
Ražotājs:
Vishay Siliconix
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 20V MICROFOOT.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Diodes - RF, Tranzistori - IGBT - moduļi, Tranzistori - JFET, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tiristori - SCR, Tiristori - DIAC, SIDAC and Tiristori - TRIAC ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Vishay Siliconix SI8800EDB-T2-E1 electronic components. SI8800EDB-T2-E1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI8800EDB-T2-E1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI8800EDB-T2-E1 Produkta atribūti

Daļas numurs : SI8800EDB-T2-E1
Ražotājs : Vishay Siliconix
Apraksts : MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
Sērija : TrenchFET®
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 20V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : -
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 1V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 8.3nC @ 8V
VG (maksimāli) : ±8V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 500mW (Ta)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete : 4-Microfoot
Iepakojums / lieta : 4-XFBGA, CSPBGA