Comchip Technology - SB2100E-G

KEY Part #: K6451584

Ģimenes kategorijas:: KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tiristori - DIAC, SIDAC, Tranzistori - JFET, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi and Tranzistori - IGBT - Masīvi ...

Konkurences priekšrocības:: We specialize in Comchip Technology SB2100E-G electronic components. SB2100E-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SB2100E-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Daļas numurs : SB2100E-G

Ražotājs : Comchip Technology

Apraksts : DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO15

Sērija : -

Daļas statuss : Active

Diodes tips : Schottky

Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 100V

Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 2A

Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 850mV @ 2A

Ātrums : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reversās atveseļošanās laiks (trr) : -

Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 500µA @ 100V

Kapacitāte @ Vr, F : -

Montāžas tips : Through Hole

Iepakojums / lieta : DO-204AC, DO-15, Axial

Piegādātāja ierīces pakete : DO-15

Darba temperatūra - krustojums : -65°C ~ 150°C

Comchip Technology CGRTS General Purpose Rectifiers

Jūs varētu arī interesēt

20ETF04FP

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.
8EWF10S

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.
8EWF12S

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK.
VS-50WQ10FNTR-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
30WQ10FNTR

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 100V 3.5A DPAK.
8EWS08S

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK.

Karstās daļas