Microsemi Corporation - APTGT50H170TG

KEY Part #: K6533096

APTGT50H170TG Cenas (USD) [975gab krājumi]

  • 1 pcs$47.65811
  • 100 pcs$46.11764

Daļas numurs:
APTGT50H170TG
Ražotājs:
Microsemi Corporation
Detalizēts apraksts:
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - Zener - Single, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Diodes - Zener - masīvi, Tranzistori - īpašam nolūkam, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep and Tranzistori - programmējams atvienojums ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Microsemi Corporation APTGT50H170TG electronic components. APTGT50H170TG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT50H170TG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT50H170TG Produkta atribūti

Daļas numurs : APTGT50H170TG
Ražotājs : Microsemi Corporation
Apraksts : IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4
Sērija : -
Daļas statuss : Active
IGBT tips : Trench Field Stop
Konfigurācija : Full Bridge Inverter
Spriegums - kolektora emitētāja sadalījums (maks.) : 1700V
Pašreizējais - kolekcionārs (Ic) (maksimāli) : 75A
Jauda - maks : 312W
Vce (ieslēgts) (Max) @ Vge, Ic : 2.4V @ 15V, 50A
Pašreizējais - kolekcionāra izslēgšana (maks.) : 250µA
Ieejas kapacitāte (Cies) @ Vce : 4.4nF @ 25V
Ievade : Standard
NTC termistors : Yes
Darbības temperatūra : -40°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Chassis Mount
Iepakojums / lieta : SP4
Piegādātāja ierīces pakete : SP4