Microsemi Corporation - APT100GT120JR

KEY Part #: K6532756

APT100GT120JR Cenas (USD) [2171gab krājumi]

  • 1 pcs$20.04945
  • 11 pcs$19.94970

Daļas numurs:
APT100GT120JR
Ražotājs:
Microsemi Corporation
Detalizēts apraksts:
IGBT 1200V 123A 570W SOT227.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - taisngrieži - vienreizēji, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tiristori - SCR - moduļi, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Diodes - Zener - Single, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Diodes - tilta taisngrieži and Diodes - Zener - masīvi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Microsemi Corporation APT100GT120JR electronic components. APT100GT120JR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT100GT120JR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT100GT120JR Produkta atribūti

Daļas numurs : APT100GT120JR
Ražotājs : Microsemi Corporation
Apraksts : IGBT 1200V 123A 570W SOT227
Sērija : Thunderbolt IGBT®
Daļas statuss : Active
IGBT tips : NPT
Konfigurācija : Single
Spriegums - kolektora emitētāja sadalījums (maks.) : 1200V
Pašreizējais - kolekcionārs (Ic) (maksimāli) : 123A
Jauda - maks : 570W
Vce (ieslēgts) (Max) @ Vge, Ic : 3.7V @ 15V, 100A
Pašreizējais - kolekcionāra izslēgšana (maks.) : 100µA
Ieejas kapacitāte (Cies) @ Vce : 6.7nF @ 25V
Ievade : Standard
NTC termistors : No
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Chassis Mount
Iepakojums / lieta : SOT-227-4, miniBLOC
Piegādātāja ierīces pakete : ISOTOP®

Jūs varētu arī interesēt
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT