GeneSiC Semiconductor - MBRH12060

KEY Part #: K6425033

Detalizēts apraksts:: DIODE SCHOTTKY 60V 120A D-67. Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY D67 20-100V 120A 60P42RV

Ģimenes kategorijas:: KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - tilta taisngrieži, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Diodes - taisngrieži - masīvi, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Tiristori - SCR, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF and Tranzistori - īpašam nolūkam ...

Konkurences priekšrocības:: We specialize in GeneSiC Semiconductor MBRH12060 electronic components. MBRH12060 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBRH12060, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Daļas numurs : MBRH12060

Ražotājs : GeneSiC Semiconductor

Apraksts : DIODE SCHOTTKY 60V 120A D-67

Sērija : -

Daļas statuss : Active

Diodes tips : Schottky

Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 60V

Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 120A

Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 750mV @ 120A

Ātrums : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reversās atveseļošanās laiks (trr) : -

Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 4mA @ 20V

Kapacitāte @ Vr, F : -

Montāžas tips : Chassis Mount

Iepakojums / lieta : D-67

Piegādātāja ierīces pakete : D-67

Darba temperatūra - krustojums : -

Jūs varētu arī interesēt

IRG4RC10SDTRPBF

Infineon Technologies

IGBT 600V 14A 38W DPAK.
FGD5T120SH

ON Semiconductor

IGBT 1200V 5A FS3 DPAK.
FGD3N60UNDF

ON Semiconductor

IGBT 600V 6A 60W DPAK.
BAS40E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.
IGB01N120H2ATMA1

Infineon Technologies

IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2.
LXA06B600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr