GeneSiC Semiconductor - 1N1189R

KEY Part #: K6425393

1N1189R Cenas (USD) [11842gab krājumi]

  • 1 pcs$3.48004

Daļas numurs:
1N1189R
Ražotājs:
GeneSiC Semiconductor
Detalizēts apraksts:
DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5. Rectifiers 500V 35A REV Leads Std. Recovery
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - īpašam nolūkam, Strāvas draivera moduļi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tiristori - SCR, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tranzistori - programmējams atvienojums and Tranzistori - FET, MOSFET - RF ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N1189R electronic components. 1N1189R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N1189R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N1189R Produkta atribūti

Daļas numurs : 1N1189R
Ražotājs : GeneSiC Semiconductor
Apraksts : DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5
Sērija : -
Daļas statuss : Active
Diodes tips : Standard, Reverse Polarity
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 600V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 35A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 35A
Ātrums : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : -
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 10µA @ 50V
Kapacitāte @ Vr, F : -
Montāžas tips : Chassis, Stud Mount
Iepakojums / lieta : DO-203AB, DO-5, Stud
Piegādātāja ierīces pakete : DO-5
Darba temperatūra - krustojums : -65°C ~ 190°C
Jūs varētu arī interesēt
  • RHRD660S9A-F085

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V Hyperfast

  • BAS70E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3.

  • QH12BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 12A, Rectifier

  • VS-SD1100C12C

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 1400A B-43. Rectifiers 1200 Volt 1400 Amp

  • 63SPB100A

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 100V 60A SPD-2A.

  • LXA03D530

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 530V 3A 8SO. Rectifiers 530V 3A X-Series 3A 75nC 3.2A 0.34