Infineon Technologies - IPB80N06S4L07ATMA2

KEY Part #: K6419838

IPB80N06S4L07ATMA2 Cenas (USD) [137238gab krājumi]

  • 1 pcs$0.26951
  • 1,000 pcs$0.24720

Daļas numurs:
IPB80N06S4L07ATMA2
Ražotājs:
Infineon Technologies
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - programmējams atvienojums, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Diodes - taisngrieži - vienreizēji, Diodes - tilta taisngrieži, Tiristori - SCR and Diodes - Zener - Single ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Infineon Technologies IPB80N06S4L07ATMA2 electronic components. IPB80N06S4L07ATMA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB80N06S4L07ATMA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB80N06S4L07ATMA2 Produkta atribūti

Daļas numurs : IPB80N06S4L07ATMA2
Ražotājs : Infineon Technologies
Apraksts : MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Sērija : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 60V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 2.2V @ 40µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 75nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±16V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 5680pF @ 25V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 79W (Tc)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montāžas tips : Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete : PG-TO263-3-2
Iepakojums / lieta : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB