Microsemi Corporation - APT75GT120JRDQ3

KEY Part #: K6532553

APT75GT120JRDQ3 Cenas (USD) [2360gab krājumi]

  • 1 pcs$18.35131
  • 10 pcs$17.16017
  • 25 pcs$15.87062
  • 100 pcs$14.87874
  • 250 pcs$13.88682

Daļas numurs:
APT75GT120JRDQ3
Ražotājs:
Microsemi Corporation
Detalizēts apraksts:
IGBT 1200V 97A 480W SOT227.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - JFET, Tranzistori - īpašam nolūkam, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Diodes - taisngrieži - vienreizēji, Diodes - RF, Tiristori - TRIAC and Tranzistori - programmējams atvienojums ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Microsemi Corporation APT75GT120JRDQ3 electronic components. APT75GT120JRDQ3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT75GT120JRDQ3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT75GT120JRDQ3 Produkta atribūti

Daļas numurs : APT75GT120JRDQ3
Ražotājs : Microsemi Corporation
Apraksts : IGBT 1200V 97A 480W SOT227
Sērija : Thunderbolt IGBT®
Daļas statuss : Active
IGBT tips : NPT
Konfigurācija : Single
Spriegums - kolektora emitētāja sadalījums (maks.) : 1200V
Pašreizējais - kolekcionārs (Ic) (maksimāli) : 97A
Jauda - maks : 480W
Vce (ieslēgts) (Max) @ Vge, Ic : 3.7V @ 15V, 75A
Pašreizējais - kolekcionāra izslēgšana (maks.) : 200µA
Ieejas kapacitāte (Cies) @ Vce : 5.1nF @ 25V
Ievade : Standard
NTC termistors : No
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Chassis Mount
Iepakojums / lieta : SOT-227-4, miniBLOC
Piegādātāja ierīces pakete : ISOTOP®

Jūs varētu arī interesēt
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.