BAT43W-HE3-18 Cenas (USD) [1388794gab krājumi]
- 1 pcs$0.02663
- 10,000 pcs$0.02445
- Daļas numurs:
- BAT43W-HE3-18
- Ražotājs:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detalizēts apraksts:
- DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30Volt 200mA 4A IFSM AUTO
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tiristori - DIAC, SIDAC, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tranzistori - programmējams atvienojums, Diodes - taisngrieži - vienreizēji, Tranzistori - īpašam nolūkam and Tiristori - SCR - moduļi ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAT43W-HE3-18 electronic components. BAT43W-HE3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAT43W-HE3-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAT43W-HE3-18 Produkta atribūti
Daļas numurs :
BAT43W-HE3-18
Ražotājs :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts :
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123
Sērija :
Automotive, AEC-Q101
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Schottky
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
30V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
200mA (DC)
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
450mV @ 15mA
Ātrums :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
5ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
500nA @ 25V
Kapacitāte @ Vr, F :
7pF @ 1V, 1MHz
Montāžas tips :
Surface Mount
Iepakojums / lieta :
SOD-123
Piegādātāja ierīces pakete :
SOD-123
Darba temperatūra - krustojums :
125°C (Max)
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
BAS19
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
MMBD4448
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast
-
MMBD1501A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose
-
BAS29
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
BAV20W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM
-
1N4148W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns
Karstās daļas
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G