Ražotājs :
GeneSiC Semiconductor
Apraksts :
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257
Diodes tips :
Silicon Carbide Schottky
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
1200V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
9.4A (DC)
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
1.6V @ 10A
Ātrums :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
0ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
20µA @ 1200V
Kapacitāte @ Vr, F :
884pF @ 1V, 1MHz
Montāžas tips :
Through Hole
Iepakojums / lieta :
TO-257-3
Piegādātāja ierīces pakete :
TO-257
Darba temperatūra - krustojums :
-55°C ~ 250°C