Ražotājs :
GeneSiC Semiconductor
Apraksts :
DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276
Diodes tips :
Silicon Carbide Schottky
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
650V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
1A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
1.5V @ 1A
Ātrums :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
0ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
5µA @ 650V
Kapacitāte @ Vr, F :
76pF @ 1V, 1MHz
Montāžas tips :
Through Hole
Iepakojums / lieta :
TO-276AA
Piegādātāja ierīces pakete :
TO-276
Darba temperatūra - krustojums :
-55°C ~ 250°C