Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Mājas
  2. Produkti
  3. Diskrēti pusvadītāju izstrādājumi
  4. Diodes - tilta taisngrieži
  5. DBD10G-TM-E

ON Semiconductor - DBD10G-TM-E

KEY Part #: K6541613

[12317gab krājumi]

    Daļas numurs:
    DBD10G-TM-E
    Ražotājs:
    ON Semiconductor
    Detalizēts apraksts:
    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A.
    Manufacturer's standard lead time:
    Noliktavā
    Glabāšanas laiks:
    Viens gads
    Čips no:
    Honkonga
    RoHS:
    Apmaksas veids:
    Sūtīšanas veids:
    Ģimenes kategorijas:
    KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tiristori - DIAC, SIDAC, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Diodes - taisngrieži - masīvi, Diodes - Zener - Single, Tiristori - SCR - moduļi and Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF ...
    Konkurences priekšrocības:
    We specialize in ON Semiconductor DBD10G-TM-E electronic components. DBD10G-TM-E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DBD10G-TM-E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    DBD10G-TM-E Produkta atribūti

    Daļas numurs : DBD10G-TM-E
    Ražotājs : ON Semiconductor
    Apraksts : BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A
    Sērija : -
    Daļas statuss : Obsolete
    Diodes tips : Single Phase
    Tehnoloģijas : Standard
    Spriegums - maksimālais reverss (maks.) : 600V
    Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 1A
    Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.05V @ 500mA
    Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 10µA @ 600V
    Darbības temperatūra : 150°C (TJ)
    Montāžas tips : Surface Mount
    Iepakojums / lieta : 4-SMD, Gull Wing
    Piegādātāja ierīces pakete : -

    Jaunākās ziņas

    ON Semiconductor NCP1096 High Power PoE-PD w/ Internal Hot Swap FET
    ON Semiconductor FUSB308BV USB Type-C® Port Controller with USB-PD
    ON Semiconductor LV8549MCGEVB Evaluation Board
    ON Semiconductor NCV8406 65V 7.0A Low Side Driver
    ON Semiconductor NTMYS010N04CL 40V Industrial Power MOSFET
    ON Semiconductor LV8824QAGEVK Evaluation Kit
    ON Semiconductor NTTFS6H850NL Single N-Channel Power MOSFET
    ON Semiconductor NCP1095 High Power PoE-PD Controller
    ON Semiconductor LMV321, NCV321, LMV358, & LMV324 CMOS Op Amps
    ON Semiconductor FUSB380C Autonomous USB Type-C® Cable Marker
    ON Semiconductor FPF2283CUCX OVP Power Switch IC
    ON Semiconductor NCP13992 Evaluation Board
    Jūs varētu arī interesēt
    • DBA500G

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 50A.

    • DBA40G-K20

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.6A.

    • DBA40G-K15

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.6A.

    • DBA40G

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.6A.

    • DBA20G-K15

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A.

    • DBA20G

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A.

    Karstās daļas