F1T2GHA0G Cenas (USD) [1798488gab krājumi]
- 1 pcs$0.02057
- Daļas numurs:
- F1T2GHA0G
- Ražotājs:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Detalizēts apraksts:
- DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1.
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tranzistori - īpašam nolūkam, Tranzistori - JFET, Tranzistori - programmējams atvienojums, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Tiristori - TRIAC and Diodes - taisngrieži - vienreizēji ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation F1T2GHA0G electronic components. F1T2GHA0G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for F1T2GHA0G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
F1T2GHA0G Produkta atribūti
Daļas numurs :
F1T2GHA0G
Ražotājs :
Taiwan Semiconductor Corporation
Apraksts :
DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1
Sērija :
Automotive, AEC-Q101
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
100V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
1A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
1.3V @ 1A
Ātrums :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
150ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
5µA @ 100V
Kapacitāte @ Vr, F :
15pF @ 4V, 1MHz
Montāžas tips :
Through Hole
Iepakojums / lieta :
T-18, Axial
Piegādātāja ierīces pakete :
TS-1
Darba temperatūra - krustojums :
-55°C ~ 150°C
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
SB260-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO204AC. Schottky Diodes & Rectifiers 60 Volt 2.0 Amp 60 Amp IFSM
-
SS10P6HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 7A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 10A,60V,SM SKY RECT.
-
AR4PMHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCH 1KV 1.8A TO277A. Rectifiers 4A,1000V, SMPC Fast Rec Avalanche
-
VS-4ESH01HM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A. Rectifiers Hypfst Rct 4A 100V AEC-Q101
-
AR3PDHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 200V 1.8A TO277A. Rectifiers 3A,200V, SMPC Fast Rec Avalanche
-
VS-4ESH02-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A. Rectifiers Hypfst Rct 4A 200V
Karstās daļas
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18