Vishay Semiconductor Diodes Division - RGP10ME-M3/54

KEY Part #: K6443318

[2832gab krājumi]


    Daļas numurs:
    RGP10ME-M3/54
    Ražotājs:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Detalizēts apraksts:
    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL.
    Manufacturer's standard lead time:
    Noliktavā
    Glabāšanas laiks:
    Viens gads
    Čips no:
    Honkonga
    RoHS:
    Apmaksas veids:
    Sūtīšanas veids:
    Ģimenes kategorijas:
    KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tiristori - TRIAC, Tranzistori - īpašam nolūkam, Strāvas draivera moduļi, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - JFET and Tiristori - DIAC, SIDAC ...
    Konkurences priekšrocības:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RGP10ME-M3/54 electronic components. RGP10ME-M3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGP10ME-M3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RGP10ME-M3/54 Produkta atribūti

    Daļas numurs : RGP10ME-M3/54
    Ražotājs : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Apraksts : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
    Sērija : Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
    Daļas statuss : Obsolete
    Diodes tips : Standard
    Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 1000V
    Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 1A
    Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 1A
    Ātrums : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 500ns
    Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 5µA @ 600V
    Kapacitāte @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
    Montāžas tips : Through Hole
    Iepakojums / lieta : DO-204AL, DO-41, Axial
    Piegādātāja ierīces pakete : DO-204AL (DO-41)
    Darba temperatūra - krustojums : -65°C ~ 175°C

    Jūs varētu arī interesēt
    • VS-5EWX06FN-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers 5A 600V 14ns Hyperfast

    • VS-APH3006-N3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247AC. Rectifiers 30A 600V 27ns Hyperfast

    • V20100SG-E3/4W

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 100 Volt Single TrenchMOS

    • VS-HFA15TB60-1-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC. Rectifiers 600V 15A TO-262 HexFred

    • V30100SG-E3/4W

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30 Amp 100 Volt Single TrenchMOS

    • VS-HFA08TB120S-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1200V 8A D2PAK. Rectifiers 1200V 8A TO-263 HexFred