GeneSiC Semiconductor - GA10JT12-247

KEY Part #: K6404176

GA10JT12-247 Cenas (USD) [2103gab krājumi]

  • 1 pcs$10.16943
  • 10 pcs$9.24469
  • 25 pcs$8.55122
  • 100 pcs$7.47449
  • 250 pcs$6.81498

Daļas numurs:
GA10JT12-247
Ražotājs:
GeneSiC Semiconductor
Detalizēts apraksts:
TRANS SJT 1.2KV 10A.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tranzistori - īpašam nolūkam, Tiristori - SCR - moduļi, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tranzistori - IGBT - moduļi and Tranzistori - programmējams atvienojums ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GA10JT12-247 electronic components. GA10JT12-247 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA10JT12-247, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GA10JT12-247 Produkta atribūti

Daļas numurs : GA10JT12-247
Ražotājs : GeneSiC Semiconductor
Apraksts : TRANS SJT 1.2KV 10A
Sērija : -
Daļas statuss : Obsolete
FET tips : -
Tehnoloģijas : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 1200V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 140 mOhm @ 10A
Vgs (th) (Maks.) @ ID : -
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : -
VG (maksimāli) : -
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 170W (Tc)
Darbības temperatūra : 175°C (TJ)
Montāžas tips : Through Hole
Piegādātāja ierīces pakete : TO-247AB
Iepakojums / lieta : TO-247-3
Jūs varētu arī interesēt
  • NP60N055VUK-E1-AY

    Renesas Electronics America

    MOSFET N-CH 55V 60A TO-252.

  • NP60N04VUK-E1-AY

    Renesas Electronics America

    MOSFET N-CH 40V 60A TO-252.

  • AUIRLR024Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 55V 16A DPAK.

  • AUIRFR4292

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK.

  • IRFR7440PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 40V 90A DPAK.

  • TK16A60W5,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS.