Taiwan Semiconductor Corporation - HS1BL RVG

KEY Part #: K6452971

HS1BL RVG Cenas (USD) [1416991gab krājumi]

  • 1 pcs$0.02610

Daļas numurs:
HS1BL RVG
Ražotājs:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detalizēts apraksts:
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA. Rectifiers 50ns 1A 100V Hi Eff Recov Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tranzistori - programmējams atvienojums, Tranzistori - JFET, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Diodes - taisngrieži - vienreizēji and Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation HS1BL RVG electronic components. HS1BL RVG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HS1BL RVG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HS1BL RVG Produkta atribūti

Daļas numurs : HS1BL RVG
Ražotājs : Taiwan Semiconductor Corporation
Apraksts : DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
Sērija : -
Daļas statuss : Active
Diodes tips : Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 100V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 1A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 950mV @ 1A
Ātrums : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 50ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 5µA @ 100V
Kapacitāte @ Vr, F : 20pF @ 4V, 1MHz
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : DO-219AB
Piegādātāja ierīces pakete : Sub SMA
Darba temperatūra - krustojums : -55°C ~ 150°C

Jūs varētu arī interesēt
  • C3D10065E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 650V 32A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 650V, 10A

  • VS-HFA08SD60S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA. Rectifiers 8A 600V Ultrafast 18ns HEXFRED

  • VS-50WQ10FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-HFA04SD60STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A DPAK.

  • VS-10WQ045FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • GSD2004W-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 240V 225MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300 Volt 225mA 50ns