Microsemi Corporation - HU10260

KEY Part #: K6445516

Ģimenes kategorijas:: KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Diodes - Zener - masīvi, Diodes - Zener - Single, Strāvas draivera moduļi, Tranzistori - programmējams atvienojums, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tiristori - SCR and Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi ...

Konkurences priekšrocības:: We specialize in Microsemi Corporation HU10260 electronic components. HU10260 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HU10260, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Daļas numurs : HU10260

Ražotājs : Microsemi Corporation

Apraksts : DIODE GEN PURP 600V 100A HALFPAK

Sērija : -

Daļas statuss : Obsolete

Diodes tips : Standard

Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 600V

Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 100A

Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.35V @ 100A

Ātrums : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 90ns

Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 50µA @ 600V

Kapacitāte @ Vr, F : 275pF @ 10V, 1Mhz

Montāžas tips : Chassis Mount

Iepakojums / lieta : HALF-PAK

Piegādātāja ierīces pakete : HALF-PAK

Darba temperatūra - krustojums : -

Jūs varētu arī interesēt

C2D05120E

Cree/Wolfspeed

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.
VS-20ETF04FPPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.
BAT54WH6327XTSA1

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.
IDB23E60ATMA1

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.
IDB12E120ATMA1

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.
IDB45E60ATMA1

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.

Karstās daļas