Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Mājas
  2. Produkti
  3. Integrētās shēmas (IC)
  4. Atmiņas
  5. W947D2HBJX5I TR

Winbond Electronics - W947D2HBJX5I TR

KEY Part #: K942480

W947D2HBJX5I TR Cenas (USD) [47612gab krājumi]

  • 1 pcs$1.05839
  • 2,500 pcs$1.05313
Daļas numurs:
W947D2HBJX5I TR
Ražotājs:
Winbond Electronics
Detalizēts apraksts:
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 128M mDDR, x32, 200MHz, Industrial Temp T&R
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: PMIC - akumulatora pārvaldība, Saskarne - specializēta, PMIC - sprieguma regulatori - līdzstrāvas līdzstrā, PMIC - termiskā vadība, PMIC - Vārtu vadītāji, Lineāri - Pastiprinātāji - Video pastiprinātāji un, Datu iegūšana - analogā priekšdaļa (AFE) and Interfeiss - sensors, kapacitīvs pieskāriens ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Winbond Electronics W947D2HBJX5I TR electronic components. W947D2HBJX5I TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W947D2HBJX5I TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W947D2HBJX5I TR Produkta atribūti

Daļas numurs : W947D2HBJX5I TR
Ražotājs : Winbond Electronics
Apraksts : IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Sērija : -
Daļas statuss : Active
Atmiņas tips : Volatile
Atmiņas formāts : DRAM
Tehnoloģijas : SDRAM - Mobile LPDDR
Atmiņas lielums : 128Mb (4M x 32)
Pulksteņa frekvence : 200MHz
Rakstīt cikla laiku - vārds, lappuse : 15ns
Piekļuves laiks : 5ns
Atmiņas interfeiss : Parallel
Spriegums - padeve : 1.7V ~ 1.95V
Darbības temperatūra : -40°C ~ 85°C (TA)
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : 90-TFBGA
Piegādātāja ierīces pakete : 90-VFBGA (8x13)

Jaunākās ziņas

Winbond NOR Product Portfolio
Winbond DRAM Product Portfolio
Jūs varētu arī interesēt
  • NDS63PT9-16IT

    Insignis Technology Corporation

    IC SDRAM 64MBIT 167MHZ 86TSOP.

  • IS25WP128F-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash 128Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS

  • IS25WP064A-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash 64Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS

  • W25Q128FWPIG

    Winbond Electronics

    IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON.

  • IS62WVS2568FBLL-20NLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M SPI 20MHZ 8SOIC. SRAM 2Mb 256Kx8 20MHz 2.2-3.6V Serial SRAM

  • IS25WP032A-JBLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8SOP.

Karstās daļas