Rohm Semiconductor - RGT16NS65DGTL

KEY Part #: K6421837

RGT16NS65DGTL Cenas (USD) [121925gab krājumi]

  • 1 pcs$0.30488
  • 1,000 pcs$0.30336
  • 2,000 pcs$0.28313
  • 5,000 pcs$0.26965

Daļas numurs:
RGT16NS65DGTL
Ražotājs:
Rohm Semiconductor
Detalizēts apraksts:
IGBT 650V 16A 94W TO-263S.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tiristori - SCR - moduļi, Diodes - Zener - Single, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Tranzistori - JFET and Tiristori - DIAC, SIDAC ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Rohm Semiconductor RGT16NS65DGTL electronic components. RGT16NS65DGTL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGT16NS65DGTL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGT16NS65DGTL Produkta atribūti

Daļas numurs : RGT16NS65DGTL
Ražotājs : Rohm Semiconductor
Apraksts : IGBT 650V 16A 94W TO-263S
Sērija : -
Daļas statuss : Active
IGBT tips : Trench Field Stop
Spriegums - kolektora emitētāja sadalījums (maks.) : 650V
Pašreizējais - kolekcionārs (Ic) (maksimāli) : 16A
Pašreizējais - kolekcionārs pulsēts (Icm) : 24A
Vce (ieslēgts) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 8A
Jauda - maks : 94W
Komutācijas enerģija : -
Ievades tips : Standard
Vārtu maksa : 21nC
Td (ieslēgts / izslēgts) @ 25 ° C : 13ns/33ns
Pārbaudes apstākļi : 400V, 8A, 10 Ohm, 15V
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 42ns
Darbības temperatūra : -40°C ~ 175°C (TJ)
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Piegādātāja ierīces pakete : LPDS (TO-263S)