Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Mājas
  2. Produkti
  3. Diskrēti pusvadītāju izstrādājumi
  4. Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi
  5. EPC2108

EPC - EPC2108

KEY Part #: K6524990

EPC2108 Cenas (USD) [113220gab krājumi]

  • 1 pcs$0.34825
  • 2,500 pcs$0.34652
Daļas numurs:
EPC2108
Ražotājs:
EPC
Detalizēts apraksts:
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Strāvas draivera moduļi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tranzistori - JFET, Tranzistori - IGBT - moduļi, Diodes - RF and Diodes - tilta taisngrieži ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in EPC EPC2108 electronic components. EPC2108 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2108, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2108 Produkta atribūti

Daļas numurs : EPC2108
Ražotājs : EPC
Apraksts : GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
Sērija : eGaN®
Daļas statuss : Active
FET tips : 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET iezīme : GaNFET (Gallium Nitride)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 60V, 100V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Jauda - maks : -
Darbības temperatūra : -40°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : 9-VFBGA
Piegādātāja ierīces pakete : 9-BGA (1.35x1.35)
Jūs varētu arī interesēt
  • FDG6322C

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 25V SC70-6.

  • SI1900DL-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6.

  • FDG1024NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC70-6.

  • 2N7002DW

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC70-6.

  • SIL2301-TP

    Micro Commercial Co

    P-CHANNELMOSFETSSOT23-6L PACKA.

  • SI6926ADQ-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP.

Karstās daļas